反應濺射法已在傳統(tǒng)基礎上發(fā)展起來
真空蒸發(fā)法少量樣品在真空條件下通過加熱或電子束轟擊而蒸發(fā)成氣相， 然后使之在冷卻的襯底上冷凝成無定形薄膜。一般而言， 該基礎材料的組成、 真空蒸發(fā)系統(tǒng)、 基板溫度等因素均將影響膜的結(jié)構(gòu)組成。該方法的優(yōu)點是無污染， 能涂金屬、 氧化物等多種材料。
陰極濺射法。此法利用陰極電子或惰氣體原子或離子束轟擊近陰極的金屬和氧化物靶， 使之濺射到襯底上， 經(jīng)冷卻而成無定形材料。近年來在此方法的基礎上又發(fā)展了一種反應濺射法， 雷蒙機廠家即濺射后在基板上和氧氣進行反應后形成氧化物無定形薄膜，濺射法粒子的能量高于真空蒸發(fā)法， 故膜層附著力強且致密， 適用于不易蒸發(fā)的材料， 其缺點是效率不夠高。
化學氣相沉積法，這種方法利用氣態(tài)物質(zhì)在固體表面進行化學反應生成固態(tài)沉淀物， 作為一種反應產(chǎn)物凝結(jié)在襯底上且仍然保持遠程無序的結(jié)構(gòu)狀態(tài)。當然， 反應接近或就在襯底表面發(fā)生， 而不應該在氣相下發(fā)生。該方法應用的條件為： 反應劑在室溫或不太高溫度下呈氣態(tài)或蒸氣壓較高， 且純度高; 能形成所需要的沉積層而其他反應產(chǎn)物易揮發(fā); 工藝上重現(xiàn)好， 成本低。